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TLC2252IDR、TLC2252QDREP、TLC2252CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2252IDR TLC2252QDREP TLC2252CDR

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 80 µA 80 µA 80 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.724 W - 0.724 W

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 200 kHz 200 kHz 200 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 210 kHz 210 kHz 210 kHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

增益带宽 0.2 MHz - 0.2 MHz

耗散功率(Max) 724 mW - 724 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - - 4.4V ~ 16V

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free