锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MR856G、STTH3L06、1N5406G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MR856G STTH3L06 1N5406G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MR856G  标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 ASTMICROELECTRONICS  STTH3L06  快速/超快二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.3 V, 60 ns, 70 ATAIWAN SEMICONDUCTOR  1N5406G  标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 ≤3.00 A ≤3.00 A -

针脚数 2 - -

正向电压 1.25 V 1.3 V -

极性 Standard Standard -

热阻 28℃/W (RθJA) 75℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 300 ns 60 ns -

最大反向击穿电压 600 V - -

正向电流 3 A 3 A 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A 70 A 200 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.3 V 1 V

正向电流(Max) 3 A 3 A -

工作温度(Max) 125 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

工作结温(Max) 125 ℃ 175 ℃ -

工作结温 - 175℃ (Max) -

长度 9.5 mm 9.5 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 9.5 mm 5.3 mm -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

工作温度 -65℃ ~ 125℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Each Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 - -