STW45NM50、TK20E60W、STW45NM50FD对比区别

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型号 STW45NM50 TK20E60W STW45NM50FD

描述 STMICROELECTRONICS  STW45NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin TO-220N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 - TO-247-3

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 45.0 A - 45.0 A

漏源极电阻 0.1 Ω - 0.1 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 417 W - 417 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A - 45.0 A

上升时间 107.5 ns 25 ns 107.5 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) - 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 417 W - 417 W

下降时间 87.7 ns 6 ns 87.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 417W (Tc) - 417W (Tc)

额定功率 390 W - -

针脚数 3 - -

长度 15.75 mm - 15.75 mm

宽度 5.15 mm - 5.15 mm

高度 20.15 mm - 20.15 mm

封装 TO-247-3 - TO-247-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -