IRL8113SPBF、STB80NF03L-04T4、STB95N3LLH6对比区别
型号 IRL8113SPBF STB80NF03L-04T4 STB95N3LLH6
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 105 A 80.0 A -
漏源极电阻 6 mΩ 4.00 mΩ 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 300 W 70 W
产品系列 IRL8113S - -
输入电容 2840pF @15V 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 105 A 80.0 A 80A
上升时间 38.0 ns 270 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 2840pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 300 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
阈值电压 - - 1 V
下降时间 - 95 ns 23.4 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.67 mm - 10.75 mm
高度 4.703 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -60℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99