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FM24V01-G、FM24V05-GTR、FM24V01-GTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM24V01-G FM24V05-GTR FM24V01-GTR

描述 F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。512KB串行3V F-RAM存储器 512Kb Serial 3V F-RAM Memory128KB串行3V F-RAM存储器 128Kb Serial 3V F-RAM Memory

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 -

时钟频率 - 3.4 MHz -

存取时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2 V -

频率 3.4 MHz - -

供电电流 1 mA - 1 mA

存取时间 130 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.98 mm - -

宽度 3.987 mm - -

高度 1.478 mm - 1.48 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -