锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FM24V05-GTR

FM24V05-GTR

数据手册.pdf

512KB串行3V F-RAM存储器 512Kb Serial 3V F-RAM Memory

FRAM Ferroelectric RAM Memory IC 512Kb 64K x 8 I²C 3.4MHz 130ns 8-SOIC


得捷:
IC FRAM 512KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC


立创商城:
FM24V05-GTR


贸泽:
F-RAM 512K 64KX8 3.3V F-RAM


e络盟:
铁电存储器FRAM, 512Kbit, 64K x 8bit, I2C, 3.4MHz, 2V至3.6V电源, SOIC-8


艾睿:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512Kbit 3V/3.3V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 512K-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC T/R


TME:
Memory; FRAM; I2C; 64kx8bit; 512kbit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8


Win Source:
IC FRAM 512KBIT 3.4MHZ 8SOIC


FM24V05-GTR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

时钟频率 3.4 MHz

存取时间Max 130 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

FM24V05-GTR引脚图与封装图
FM24V05-GTR引脚图

FM24V05-GTR引脚图

FM24V05-GTR封装图

FM24V05-GTR封装图

FM24V05-GTR封装焊盘图

FM24V05-GTR封装焊盘图

在线购买FM24V05-GTR
型号 制造商 描述 购买
FM24V05-GTR Cypress Semiconductor 赛普拉斯 512KB串行3V F-RAM存储器 512Kb Serial 3V F-RAM Memory 搜索库存
替代型号FM24V05-GTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FM24V05-GTR

品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装： 8-SOIC

当前型号

512KB串行3V F-RAM存储器 512Kb Serial 3V F-RAM Memory

当前型号

型号： FM24V01-G

品牌： 赛普拉斯

封装： FBGA

完全替代

F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

FM24V05-GTR和FM24V01-G的区别

型号： FM24V01-GTR

品牌： 赛普拉斯

封装： SOIC-8

完全替代

128KB串行3V F-RAM存储器 128Kb Serial 3V F-RAM Memory

FM24V05-GTR和FM24V01-GTR的区别

型号： FM24V02-G

品牌： 赛普拉斯

封装： FBGA

类似代替

256Kb的3V串行F-RAM存储器 256Kb Serial 3V F-RAM Memory

FM24V05-GTR和FM24V02-G的区别