SI4532ADY-T1-GE3、ZXMC3A17DN8TA、SI4532ADY-T1-E3对比区别

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型号 SI4532ADY-T1-GE3 ZXMC3A17DN8TA SI4532ADY-T1-E3

描述 VISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道ZXMC3A17DN8TA 编带N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.044 Ω 0.07 Ω 0.044 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.13 W 2.1 W 2 W

阈值电压 1 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.70 A 4.40 A 4.90 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2100 mW 1.13 W

额定电流 - 5.40 A -

额定功率 - 2.1 W -

通道数 - 2 -

输入电容 - 630 pF -

栅电荷 - 15.8 nC -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 2.90 ns -

输入电容(Ciss) - 600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.25 W -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.55 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 - Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -