锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMC3A17DN8TA 编带

The is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.

.
Low ON-resistance
.
Fast switching speed
.
Low threshold
.
Low gate drive
.
Low profile
ZXMC3A17DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电流 5.40 A

额定功率 2.1 W

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 1 V

输入电容 630 pF

栅电荷 15.8 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.40 A

上升时间 2.90 ns

输入电容Ciss 600pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXMC3A17DN8TA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZXMC3A17DN8TA
型号 制造商 描述 购买
ZXMC3A17DN8TA Diodes 美台 ZXMC3A17DN8TA 编带 搜索库存
替代型号ZXMC3A17DN8TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZXMC3A17DN8TA

品牌： Diodes 美台

封装： SOP-8 N-Channel 30V 4.4A 65mΩ 630pF

当前型号

ZXMC3A17DN8TA 编带

当前型号

型号： ZXMC3A17DN8TC

品牌： 美台

封装：

类似代替

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

ZXMC3A17DN8TA和ZXMC3A17DN8TC的区别