FDS2572、IRF7815PBF、IRF7494PBF对比区别

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型号 FDS2572 IRF7815PBF IRF7494PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS2572  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF7815PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF7494PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 150 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.04 Ω 0.034 Ω 0.035 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 3 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 4.90 A 5.1A 5.1A

输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 1647pF @75V(Vds) 1783pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 4.90 A - -

输入电容 2.05 nF - -

栅电荷 29.0 nC - -

漏源击穿电压 150 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 4 ns 3.2 ns -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 22 ns 8.3 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 2.5 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -