FDS2572
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS2572中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 4.90 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.05 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS2572引脚图与封装图
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在线购买FDS2572
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS2572 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDS2572
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS2572 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 150V 4.9A 47mohms 2.05nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRF7815PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 5.1A | 功能相似 | INFINEON IRF7815PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V | FDS2572和IRF7815PBF的区别 |
| 型号： STL65N3LLH5 品牌： 意法半导体 封装： Power N-Channel 9.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V | FDS2572和STL65N3LLH5的区别 |