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ISL9000AIRMGZ、ISL9000IRMGZ、ISL9000IRMMZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9000AIRMGZ ISL9000IRMGZ ISL9000IRMMZ

描述 双路LDO具有低噪声,非常高PSRR ,低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ双路LDO具有低噪声,非常高PSRR ,低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ双路LDO具有低噪声,非常高PSRR ,低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DFN-10 DFN-10 VFDFN-10

输出接口数 2 2 -

输出电流 300 mA 300 mA 300 mA

静态电流 0.042 mA 0.042 mA -

输入电压(Max) 6.5 V 6.5 V -

输入电压(Min) 2.3 V 2.3 V -

精度 ±0.8 % ±0.8 % -

输入电压 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V

跌落电压 - 0.25 V @ 300 mA, 0.2 V @ 300 mA 0.2V @300mA

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

输出电压 - - 3 V

封装 DFN-10 DFN-10 VFDFN-10

长度 - 3 mm -

宽度 - 3 mm -

高度 - 0.9 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free