ISL9000IRMGZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL9000IRMGZ中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
输出电流 300 mA
静态电流 0.042 mA
跌落电压 0.25 V @ 300 mA, 0.2 V @ 300 mA
输入电压Max 6.5 V
输入电压Min 2.3 V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
精度 ±0.8 %
输入电压 2.3V ~ 6.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-10
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.9 mm
封装 DFN-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL9000IRMGZ引脚图与封装图 
ISL9000IRMGZ引脚图
ISL9000IRMGZ封装图
ISL9000IRMGZ封装焊盘图
在线购买ISL9000IRMGZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9000IRMGZ | Intersil 英特矽尔 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | 搜索库存 |
替代型号ISL9000IRMGZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9000IRMGZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： DFN-10 | 当前型号 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | 当前型号 |
| 型号： ISL9000AIRMGZ 品牌： 英特矽尔 封装： DFN-10 | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | ISL9000IRMGZ和ISL9000AIRMGZ的区别 |
| 型号： ISL9000AIRMGZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： DFN-10 | 完全替代 | IC REG LDO 3V/2.7V 0.3A 10DFN | ISL9000IRMGZ和ISL9000AIRMGZ-T的区别 |
| 型号： ISL9000AIRMNZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： DFN-10 | 完全替代 | IC REG LDO 3V/3.3V 0.3A 10DFN | ISL9000IRMGZ和ISL9000AIRMNZ-T的区别 |