STB80PF55、STB80PF55T4对比区别
描述 P沟道55V - 0.016ヘ - 80A - TO- 220 - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 55V - 0.016ヘ - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB80PF55T4 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -55 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 D2PAK TO-263-3
极性 P-CH P-Channel
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 40.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 300W (Tc)
额定电压(DC) - -60.0 V
额定电流 - -300 mA
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 16 mΩ
耗散功率 - 300 W
阈值电压 - 3 V
漏源击穿电压 - 55 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
上升时间 - 190 ns
输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 80 ns
长度 10.4 mm 10.4 mm
宽度 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)