STB80PF55T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -300 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 16 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STB80PF55T4引脚图与封装图 
STB80PF55T4引脚图
STB80PF55T4封装图
STB80PF55T4封装焊盘图
在线购买STB80PF55T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB80PF55T4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STB80PF55T4 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -55 V, 16 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号STB80PF55T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB80PF55T4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263 P-Channel 55V 40A 16mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STB80PF55T4 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -55 V, 16 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： STB80PF55 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK P-CH 55V 80A | 功能相似 | P沟道55V - 0.016ヘ - 80A - TO- 220 - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 55V - 0.016ヘ - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET | STB80PF55T4和STB80PF55的区别 |