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DS1258W-150#、DS1258W-100IND#、DS1258AB-100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-150# DS1258W-100IND# DS1258AB-100

描述 Non-Volatile SRAM Module, 128KX16, 150ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-40IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP-40 DIP-40 DIP-40

引脚数 - - 40

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - - 100 GHz

存取时间 - - 100 ns

内存容量 - - 250000 B

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 PDIP-40 DIP-40 DIP-40

长度 - - 53.72 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 8.13 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 PB free Contains Lead