DS1258AB-100

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 100ns 40-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

贸泽:
NVRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 5V 40-Pin EDIP

Win Source:
IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

DS1258AB-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 250000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 40

封装 DIP-40

外形尺寸

长度 53.72 mm

宽度 18.29 mm

高度 8.13 mm

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DS1258AB-100引脚图与封装图

DS1258AB-100引脚图

DS1258AB-100封装图

DS1258AB-100封装焊盘图

在线购买DS1258AB-100

型号	制造商	描述	购买
DS1258AB-100	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP	搜索库存

替代型号DS1258AB-100

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1258AB-100 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 250000B 5V 100ns 40Pin	当前型号	IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP	当前型号
型号： DS1258W-150# 品牌：美信封装： PDIP	功能相似	Non-Volatile SRAM Module, 128KX16, 150ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-40	DS1258AB-100和DS1258W-150#的区别
型号： DS1258Y-70IND# 品牌：美信封装： DIP	功能相似	IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP	DS1258AB-100和DS1258Y-70IND#的区别
型号： DS1258W-100IND 品牌：美信封装： DMA	功能相似	IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP	DS1258AB-100和DS1258W-100IND的区别