IPB091N06NG、NP80N06MLG-S18-AY、IPB80N06S3L-05对比区别
型号 IPB091N06NG NP80N06MLG-S18-AY IPB80N06S3L-05
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3-2
引脚数 - - 3
耗散功率 188 W 1.8W (Ta), 115W (Tc) 165W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 55 V
上升时间 29 ns 13 ns 49 ns
输入电容(Ciss) - 6900pF @25V(Vds) 13060pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 7 ns 41 ns
耗散功率(Max) - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 165W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V
额定电流 80.0 A - 80.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 8.8 Ω - -
输入电容 2.80 nF - 7.77 nF
栅电荷 81.0 nC - 170 nC
漏源击穿电压 60 V - -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
极性 - - N-CH
额定功率(Max) - - 165 W
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3-2
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free