SPD02N80C3ATMA1、SPD02N80C3BTMA1对比区别
型号 SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3BTMA1
描述 INFINEON SPD02N80C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N80C3BTMA1, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 42 W
通道数 1 1
漏源极电阻 2.4 Ω 2.4 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 42 W 42 W
阈值电压 3 V 2.1 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 2A 2A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 290pF @100V(Vds) 290pF @100V(Vds)
下降时间 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc)
针脚数 3 -
额定功率(Max) 42 W -
长度 6.5 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -