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SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPD02N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 800 V 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET SPD02N80C3ATMA1


立创商城:
N沟道 800V 2A


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
INFINEON  SPD02N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this SPD02N80C3ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252


SPD02N80C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 290pF @100VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Alternative Energy, Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Lighting,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPD02N80C3ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPD02N80C3ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPD02N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPD02N80C3ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPD02N80C3ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 800V 2A

当前型号

INFINEON  SPD02N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: SPD02N80C3BTMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 800V 2A

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