IRF2805SPBF、IRF2805STRLPBF、AUIRF2805STRL对比区别
型号 IRF2805SPBF IRF2805STRLPBF AUIRF2805STRL
描述 INFINEON IRF2805SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 4.7 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 135A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 200 W 200 W 200 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0047 Ω 0.0039 Ω 4.7 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 5110 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 135A 135A 135A
上升时间 120 ns 120 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 5110pF @25V(Vds) 5110pF @25V(Vds)
下降时间 110 ns 110 ns 110 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200000 mW
通道数 - - 1
产品系列 - - AUIRF2805S
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 11.43 mm 9.65 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -