IRF2805SPBF
数据手册.pdfINFINEON IRF2805SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 4.7 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET，55V，
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 0.0047 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK
富昌:
IRF2805S 系列 55 V 4.7 mOhm 135 A 表面贴装 HEXFET® 功率 MOSFET - TO-263-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Newark:
# INFINEON IRF2805SPBF MOSFET Transistor, N Channel, 135 A, 55 V, 4.7 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 55V 135A 4,7mOhm TO263 **
Win Source:
HEXFET Power MOSFET