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APT10086BVFR、APT10086BVFRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10086BVFR APT10086BVFRG

描述 TO-247 N-CH 1000V 13AAPT10086BVFR: 1000 V 13 A 0.86 Ohm N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-247

额定电压(DC) - 1.00 kV

额定电流 - 13.0 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 370 W

输入电容 - 4.44 nF

栅电荷 - 275 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV

连续漏极电流(Ids) 13A 13.0 A

封装 TO-247 TO-247

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Rail, Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free