APT10086BVFRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10086BVFRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 13.0 A
极性 N-CH
耗散功率 370 W
输入电容 4.44 nF
栅电荷 275 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 13.0 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10086BVFRG引脚图与封装图
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在线购买APT10086BVFRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10086BVFRG | Microsemi 美高森美 | APT10086BVFR: 1000 V 13 A 0.86 Ohm N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3 | 搜索库存 |
替代型号APT10086BVFRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10086BVFRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 1kV 13A 4.44nF | 当前型号 | APT10086BVFR: 1000 V 13 A 0.86 Ohm N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3 | 当前型号 |
| 型号： APT10086BVFR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 1000V 13A | APT10086BVFRG和APT10086BVFR的区别 |