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MRF8S9170NR3、MRFE6P3300HR3、MRF8S9220HR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF8S9170NR3 MRFE6P3300HR3 MRF8S9220HR3

描述 Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 50W Avg., 28VRF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 65W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Screw Screw

引脚数 3 5 3

封装 OM-780-2 NI-860C3 NI-780H-2L

频率 920 MHz 857MHz ~ 863MHz 960 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 50 W 270 W 65 W

增益 19.3 dB 20.4 dB 19.4 dB

测试电流 1 A 1.6 A 1.6 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 70 V 66 V 70 V

额定电流 - 10 µA -

输入电容(Ciss) - 106pF @32V(Vds) -

电源电压 - 32 V -

封装 OM-780-2 NI-860C3 NI-780H-2L

高度 - - 4.32 mm

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -