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DBD10G-TM-E、S1NB60-7101、DB105S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DBD10G-TM-E S1NB60-7101 DB105S

描述 600V 1A600V 1ABridge Rectifier Diode, 1A, 600V V(RRM),

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Shindengen (新电元) Yangzhou Yangjie Electronic

分类 二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SMD-4 DIP -

引脚数 4 - -

正向电压 1.05V @500mA 1.05 V -

最大反向电压(Vrrm) 600V 600V -

正向电流 1 A 1 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 6.5 mm -

高度 - 2.5 mm -

封装 SMD-4 DIP -

工作温度 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -