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LM285MX-1.2/NOPB、LM185H-1.2/883、LT1004IDR-1-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285MX-1.2/NOPB LM185H-1.2/883 LT1004IDR-1-2

描述 V-Ref Precision 1.235V 20mA 8Pin SOIC N T/RV-Ref Precision 1.235V 20mA 2Pin TO-46微功耗内置电压参考 MICROPOWER INTEGRATED VOLTAGE REFERENCES

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) Linear Technology (凌力尔特) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

安装方式 - Through Hole Surface Mount

通道数 1 - 1

输出电压(Max) 1.235 V - 1.235 V

精度 ±1 % - ±4 mV

容差 - - ±0.32 %

输出电压 - 1.235 V 1.235 V

输出电流 - - 20 mA

输出电压(Min) - - 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -40 ℃

封装 SOIC-8 - SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

温度系数 ±150 ppm/℃ - ±20 ppm/℃

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free - Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99