DTD113E、MUN2230T1G、MUN2230T1对比区别

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型号 DTD113E MUN2230T1G MUN2230T1

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsNPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SMT-3 SOT-23-3 -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 0.338 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 3 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 338 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 338 mW -

封装 SMT-3 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -