IRFB4227PBF、SUM65N20-30-E3、IRFB42N20DPBF对比区别

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型号 IRFB4227PBF SUM65N20-30-E3 IRFB42N20DPBF

描述 INFINEON  IRFB4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON  IRFB42N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263 TO-220-3

额定功率 190 W - 300 W

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0197 Ω 0.03 Ω 0.055 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 3.75 W 300 W

阈值电压 5 V 4 V 5.5 V

输入电容 4600 pF - 3430 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 65A 65.0 A 44A

上升时间 20 ns 220 ns 69 ns

输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 3430pF @25V(Vds)

下降时间 31 ns 200 ns 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 375 W 2.4W (Ta), 330W (Tc)

漏源击穿电压 200 V - -

额定功率(Max) 330 W - -

宽度 4.82 mm 9.652 mm 4.4 mm

封装 TO-220-3 TO-263 TO-220-3

长度 10.66 mm 10.41 mm -

高度 9.02 mm 4.826 mm -

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -