SUM65N20-30-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.75 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 65.0 A
上升时间 220 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
下降时间 200 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.652 mm
高度 4.826 mm
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUM65N20-30-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SUM65N20-30-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUM65N20-30-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SUM65N20-30-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUM65N20-30-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel 200V 65A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： IRFB4227PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 65A | 功能相似 | INFINEON IRFB4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V | SUM65N20-30-E3和IRFB4227PBF的区别 |
| 型号： IRFB4127PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 76A | 功能相似 | INFINEON IRFB4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 V | SUM65N20-30-E3和IRFB4127PBF的区别 |
| 型号： IPB320N20N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 34A | 功能相似 | INFINEON IPB320N20N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V | SUM65N20-30-E3和IPB320N20N3GATMA1的区别 |