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AO3406、FDN357N、CPH3448-TL-H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO3406 FDN357N CPH3448-TL-H

描述 二极管与整流器FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN357N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 1.6 V4A,30V,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-96

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 1.4 W 500 mW 1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.6A 1.90 A 4A

上升时间 - 12 ns 41 ns

输入电容(Ciss) 210pF @15V(Vds) 235pF @10V(Vds) 430pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 460 mW 1 W

下降时间 - 3 ns 37 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 0.5 W 1W (Ta)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 1.90 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.053 Ω -

阈值电压 - 1.6 V -

输入电容 - 235 pF -

栅电荷 - 4.20 nC -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - 2.92 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.6 mm

高度 - 0.94 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-96

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -