BC639-16、BC63916_D74Z、BC639,116对比区别

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型号 BC639-16 BC63916_D74Z BC639,116

描述 NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistorsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 AmmoSPT NPN 80V 1A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 1000 mW 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

额定功率(Max) - 1 W 830 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 830 mW

增益频宽积 - - 180 MHz

高度 - 5.33 mm 5.2 mm

封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3

长度 - - 4.8 mm

宽度 - - 4.2 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 - Box Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -