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2N5237S、JANTX2N5237、2N5237对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5237S JANTX2N5237 2N5237

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-5 TO-5

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 10A - -

高度 - 6.6 mm -

封装 TO-39 TO-5 TO-5

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -