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STF20NK50Z、TK19A45D、STP20NM50FP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF20NK50Z TK19A45D STP20NM50FP

描述 N沟道500 V, 0.23 Ω , 17的超网™功率MOSFET稳压保护TO- 220 , TO- 247 , TO- 220FP , D2PAK N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAKTO-220SIS N-CH 450V 19AN 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 SC-67 TO-220-3

额定电压(DC) - - 550 V

额定电流 - - 20.0 A

漏源极电阻 - - 0.2 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 40W (Tc) - 45 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1.48 nF

栅电荷 - - 56.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 450 V 550 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 19A 20.0 A

上升时间 20 ns - 16 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 50 W 45 W

下降时间 15 ns - 8.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) - 45W (Tc)

通道数 1 - -

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

封装 TO-220-3 SC-67 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17