ADN4661BRZ、DS90LV017ATM/NOPB、DS90LV017ATM对比区别

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型号 ADN4661BRZ DS90LV017ATM/NOPB DS90LV017ATM

描述 ANALOG DEVICES  ADN4661BRZ  驱动器, LVDS, 差分, 10 mA, -40 °C, 85 °C, 3 VTEXAS INSTRUMENTS  DS90LV017ATM/NOPB  芯片, 驱动器, LVDSTEXAS INSTRUMENTS  DS90LV017ATM.  驱动器, LVDS, 单路高速, LVDS差分驱动器, 1.5 ns, 10 mA, -40 °C, 85 °C, 3 V

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片LVDS、M-LVDS、ECL、CMLLVDS、M-LVDS、ECL、CML

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装(公制) SOIC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.30 V, 3.30 V (max) 3.30 V, 3.30 V (max)

供电电流 7.00 mA 10.0 mA 7.00 mA

针脚数 8 8 8

耗散功率 23 W 1.19 W 1190 W

数据速率 600 Mbps 600 Mbps 600 Mbps

输出电压(Max) 0.45 V 450 mV -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 23 mW 1190 mW 1190 mW

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

通道数 - 1 1

功耗 - 17.0 W 17.0 W

输入电压(Max) - 2 V -

输入电压(Min) - 0.8 V -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

封装(公制) SOIC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 5A991.b.4 - 5A991.b.1