BSC159N10LSFG、BSC159N10LSFGATMA1对比区别
型号 BSC159N10LSFG BSC159N10LSFGATMA1
描述 Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSFGATMA1, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 TDSON PG-TDSON-8
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 114 W 114 W
上升时间 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 2500pF @50V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 114 W 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 9.4A
长度 6.1 mm 5.9 mm
宽度 5.35 mm 5.15 mm
高度 1.1 mm 1.27 mm
封装 TDSON PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC