![BSC159N10LSFG](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_48/chanpintu/bsc159n10lsfg-qCj4PEln-bqV5wGyBZ.png)
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON
长度 6.1 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 TDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSC159N10LSFG | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列 Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSC159N10LSFG 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TDSON N-Channel | 当前型号 | Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 | |
型号: BSC159N10LSFGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 9.4A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSFGATMA1, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装 | BSC159N10LSFG和BSC159N10LSFGATMA1的区别 |