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BAT54WT1G、BAT54XV2T1G、BAT54WT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54WT1G BAT54XV2T1G BAT54WT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAT54WT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C 新ON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C肖特基二极管 Schottky Barrier Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SOD-523-2 SC-70-3

引脚数 3 2 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

电容 10.0 pF 10.0 pF 10.0 pF

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA ≤200 mA

正向电压 0.8 V 800mV @100mA 800mV @100mA

极性 Standard Standard Standard

反向恢复时间 5 ns 5 ns 5 ns

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

负载电流 - 0.2 A -

针脚数 3 2 -

耗散功率 200 mW 200 mW -

热阻 - 635 ℃/W -

正向电流 200 mA 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA -

正向电压(Max) 800 mV 800 mV -

正向电流(Max) 200 mA 200 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

工作结温 -55℃ ~ 125℃ - -

工作结温(Max) 125 ℃ - -

封装 SC-70-3 SOD-523-2 SC-70-3

长度 2.2 mm 1.2 mm -

宽度 1.24 mm 0.8 mm -

高度 0.85 mm 0.6 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -