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BD438S、BD438STU、BD438G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD438S BD438STU BD438G

描述 中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching ApplicationsPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  BD438G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 3 MHz, 36 W, -4 A, 3 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

额定功率 - 36 W -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 36 W 36 W 36 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36 W 36000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 3

长度 - 8 mm -

宽度 - 3.25 mm -

高度 11.2 mm 11 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99