2N6341、JANTX2N6308、2N6340对比区别

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型号 2N6341 JANTX2N6308 2N6340

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 350V 8A 3Pin(2+Tab) TO-3t-Npn Si-Pwr Amp Sw ; Rohs Compliant: Yes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

耗散功率 200 W 125 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 350 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 12 @3A, 5V -

额定功率(Max) - 125 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 125000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -