JANTX2N6308
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6308中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
最小电流放大倍数hFE 12 @3A, 5V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N6308引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX2N6308
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6308 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 350V 8A 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6308
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6308 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 125000mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 350V 8A 3Pin2+Tab TO-3 | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6284 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 175000mW | 类似代替 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6308和JANTX2N6284的区别 |
| 型号： JANTX2N6277 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 250000mW | 类似代替 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6308和JANTX2N6277的区别 |
| 型号： 2N6341 品牌： 美高森美 封装： TO-3 200000mW | 类似代替 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTX2N6308和2N6341的区别 |