STB28N65M2、TK20E60U、IXKP20N60C5对比区别

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型号 STB28N65M2 TK20E60U IXKP20N60C5

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.19 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 170 W 190 W 208 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 10 ns 40 ns 5 ns

下降时间 8.8 ns 12 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) - 1520pF @100V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) - -

封装 TO-252-3 TO-220 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.66 mm

宽度 9.35 mm - 4.82 mm

高度 4.6 mm - 9.15 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

香港进出口证 - NLR -