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CC1150RST、CC1150RSTR、CC1150RGVT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CC1150RST CC1150RSTR CC1150RGVT

描述 CC1150 低功率 300-1000MHz 射频发射器单芯片,低功率 CMOS 多通道 UHF 发射器,主要为 315、433、868 和 915 MHz ISM/SRD 频带而设计。### 单芯片组件,Texas Instruments低功耗低于1GHz的射频发射器 Low Power Sub-1 GHz RF Transmitter射频发射器 Highly Integrated Multichannel 射频发射器 Designed for Low-Power Wireless Applications 16-VQFN -40 to 85

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 射频发射器射频发射器RF模块、IC及配件

基础参数对比

引脚数 16 16 16

封装 QFN-16 QFN-16 VQFN-16

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

频率 300MHz ~ 348MHz,400MHz ~ 464MHz,800MHz ~ 928MHz 300MHz ~ 348MHz,400MHz ~ 464MHz,800MHz ~ 928MHz 300MHz ~ 348MHz,400MHz ~ 464MHz,800MHz ~ 928MHz

耗散功率 - - 2000 mW

FLASH内存容量 0 B 0 B 0 B

输出功率 -30dBm ~ 10dBm -30dBm ~ 10dBm 10 dBm

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

电源电压 1.8V ~ 3.6V 1.8V ~ 3.6V 1.8V ~ 3.6V

数据速率 500 kbps 500 kbps -

待机电流 200 nA 200 nA -

天线接线 Differential Differential -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 1.8 V - -

电源电压(DC) - 1.80V (min) -

供电电流 - 15.9 mA -

封装 QFN-16 QFN-16 VQFN-16

长度 4.1 mm 4.00 mm -

宽度 4.1 mm 4.00 mm -

高度 0.95 mm 0.91 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - - 5A991.g