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IRFR420BTM、STD3NK50ZT4、IRFR420PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR420BTM STD3NK50ZT4 IRFR420PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 2.30 A 2.40 A

额定功率 - - 42 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 2.60 Ω 2.80 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 45 W 2.5 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 60.0 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.30 A 2.40 A

上升时间 - 13 ns 8.60 ns

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 45 W 2.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 45W (Tc) 2.5 W

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

输入电容 - 280 pF -

下降时间 - 14 ns -

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.2 mm 6.22 mm

高度 - 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -