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BG3140R、BF1102R,115、BF1102R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BG3140R BF1102R,115 BF1102R

描述 双N沟道MOSFET四极管 DUAL N-Channel MOSFET TetrodeTrans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6Pin TSSOP T/RDual N-channel dual gate MOS-FETs

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

频率 - 800 MHz -

额定电流 - 40 mA -

耗散功率 - 200 mW -

漏源极电压(Vds) - 7 V -

测试电流 - 15 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

额定电压 - 7 V -

封装 SOT-363 TSSOP-6 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -