BF1102R,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
BF1102R,115中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电流 40 mA
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 7 V
测试电流 15 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF1102R,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF1102R,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF1102R,115 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6Pin TSSOP T/R | 搜索库存 |
替代型号BF1102R,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF1102R,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT363 200mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6Pin TSSOP T/R | 当前型号 |
| 型号： BF1102R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363/SC70-6 | 功能相似 | BF1102R 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W2 低噪声放大 VHF和UHF应用 | BF1102R,115和BF1102R的区别 |
| 型号： BG3140R 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 双N沟道MOSFET四极管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode | BF1102R,115和BG3140R的区别 |