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RC4559D、RC4559DE4、RC4559DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RC4559D RC4559DE4 RC4559DR

描述 双路高性能运算放大器 DUAL HIGH-PERFORMANCE OPERATIONAL AMPLIFIERIC OPAMP GP 4MHz 8SOIC运算放大器 - 运放 Dual Hi-Performance Op Amp

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

供电电流 3.3 mA 3.3 mA 3.3 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K 0.00 V/K 0.00 V/K

带宽 4 MHz 4.00 MHz 4.00 MHz

转换速率 2.00 V/μs 2.00 V/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 4 MHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

增益带宽 4 MHz - 4 MHz

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

共模抑制比(Min) 80 dB - 80 dB

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

电源电压 10V ~ 30V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -