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LT1013DDG4、LT1013DID、LT1013IS8#PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1013DDG4 LT1013DID LT1013IS8#PBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDG4  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DID  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, 4V 至 44V, SOIC, 8 引脚LINEAR TECHNOLOGY  LT1013IS8#PBF  运算放大器, 双路, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 350 µA 350 µA 350 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

共模抑制比 97 dB 97 dB -

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K -

带宽 1 MHz 1 MHz 10 Hz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz -

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 15 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 1 MHz -

共模抑制比(Min) 97 dB 97 dB 97 dB

电源电压 - 4V ~ 44V -

电源电压(DC) 18.0 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.988 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.498 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -