FDMC8622、SI7812DN-T1-E3对比区别

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型号 FDMC8622 SI7812DN-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8622  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 VVISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 8 8

封装 Power-33-8 1212

安装方式 Surface Mount -

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0437 Ω 0.031 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 3.8 W

阈值电压 2.9 V 2.3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 4A 16.0 A

输入电容(Ciss) 402pF @50V(Vds) 840pF @35V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 3800 mW

通道数 1 -

漏源击穿电压 100 V -

上升时间 1.6 ns -

下降时间 2.2 ns -

高度 0.75 mm 1.04 mm

封装 Power-33-8 1212

长度 3.3 mm -

宽度 3.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15