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SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V

The is a 75VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.

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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N沟道 75 V 37 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK 1212-8


Newark:
# VISHAY  SI7812DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 20 V, 2.3 V


儒卓力:
**N-CH 75V 16A 37mOhm PPAK1212 **


SI7812DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

输入电容Ciss 840pF @35VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7812DN-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7812DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V 搜索库存
替代型号SI7812DN-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7812DN-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK N-Channel 75V 16A

当前型号

VISHAY  SI7812DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 75 V, 0.031 ohm, 10 V, 2.3 V

当前型号

型号: SI7812DN-T1-GE3

品牌: 威世

封装: PowerPAK N-Channel 75V 16A

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VISHAY  SI7812DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 16A POWERPAK

SI7812DN-T1-E3和SI7812DN-T1-GE3的区别

型号: FDMC8622

品牌: 飞兆/仙童

封装: MLP N-Channel 100V 4A

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8622  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.0437 ohm, 10 V, 2.9 V

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