DN3135K1、DN3135K1-G对比区别

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型号 DN3135K1 DN3135K1-G

描述 Trans MOSFET N-CH 350V 0.072A 3Pin SOT-23MICROCHIP  DN3135K1-G  芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R

数据手册 --

制造商 Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

额定功率 - 0.36 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 35.0 Ω 35 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 360 mW

漏源极电压(Vds) - 350 V

连续漏极电流(Ids) 72.0 mA 0.072A

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) - 120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 360 mW

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 360mW (Ta)

漏源击穿电压 350 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.95 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

HTS代码 - -